Kingston HyperX Genesis XMP X2 Grey Series mit XMP Profil Sehr hochwertiger und trotzdem bei uns günstiger Arbeitsspeicher der Kingston Hyper X...... mehr
Kingston HyperX Genesis XMP X2 Grey Series mit XMP Profil Sehr hochwertiger und trotzdem bei uns günstiger Arbeitsspeicher der
Kingston Hyper X Genesis Serie, somit noch hochwertiger als der normale Hyper X Speicher. Kurzinfo: Kapazität: 8GB Kit aus 2 x 4 GB Modulen DIMM 240-PIN DDR3-1600 MHz PC3-12800, CL9-9-9-27 1.65 V, ideal für Intel und AMD Prozessoren ungepuffert nicht-ECC unterstützt Intel Extreme Memory Profile (XMP) Herstellernummer: KHX1600C9D3X2K2/8GX begrenzte lebenslange Herstellergarantie Hyper X Genesis Serie In der
Kingston Hyper X Modellreihe nochmals eine Stufe über den neuen
Kingston Hyper X Blu angesiedelt bietet die Genesis Serie bezahlbare Top-Performance und überragende Qualität. Dank herausragender thermischer Leistung, Hochfrequenzgeschwindigkeiten und niedriger Latenz ist HyperX Genesis ideal für Computerbegeisterte, Systemintegratoren und Spieler, die nach deutlich mehr Leistung streben. Mit Genesis DDR3 erreichen Sie noch höhere Geschwindigkeiten, geringere Latenzzeiten und größere Datenbandbreiten – und das bei geringerem Energieverbrauch als mit DDR2. Genesis hält mühelos mit den steigenden Anforderungen moderner Technologie Schritt, ist zu 100 Prozent getestet und bietet die legendäre Zuverlässigkeit von
Kingston®. Eigenschaften: Speicherkapazitäten bis zu 8 GB (Dual Channel), 24 GB (Triple Channel),
32 GB (Quad Channel) DDR3 ist verfügbar in Single-, Dual- und Triple-Channel-Speicherkits bis zu 2.000 MHz Kompatibel mit der Intel XMP Selbstübertaktungsfunktion (für ausgewählte Modelle verfügbar) DESCRIPTION
Kingston's KHX1600C9D3P1K2/8G is a kit of two 512M x 64-bit (4GB) DDR3-1600 CL9 SDRAM (Synchronous
DRAM) 2Rx8 memory modules, based on sixteen 256M x 8-bit DDR3 FBGA components per module. Total kit capacity is 8GB. Each module kit has been tested to run at JEDEC DDR3-1600 at a low latency timing of 9-9-9 at 1.5V. Additional timing parameters are shown in the PnP Timing Parameters section. Each 240-pin DIMM uses gold contact fingers and requires +1.5V. The electrical and mechanical specifications are as follows: SPECIFICATIONS CL(IDD) 9 cycles Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (min.) Refresh to Active/Refresh 160ns (min.) Command Time (tRFCmin) Row Active Time (tRASmin) 33.75ns (min.) Power (Operating) TBD* (per module) UL Rating 94 V - 0 Operating Temperature 0o C to 85o C Storage Temperature -55o C to +100o C *Power will vary depending on the SDRAM used. FEATURES • JEDEC standard 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Power Supply • VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) • 800MHz fCK for 1600
Mb/sec/pin • 8 independent internal bank • Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5 • Posted CAS • Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock • Programmable CAS Write Latency(CWL) = 8 (DDR3-1600) • 8-bit pre-fetch • Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “ 000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS] • Bi-directional Differential Data Strobe • Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%) • On Die Termination using ODT pin • Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C • Asynchronous Reset • PCB : Height 1.180” (30.00mm), double sided component
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